| 发明名称 | 基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法，所述LED外延片包括：图形化Si衬底、生长在图形化Si衬底上的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>涂层、在Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>涂层上依次生长出成核层、第一缓冲层、第一插入层、第二缓冲层、第二插入层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p-GaN层、与n-GaN层电连接的n电极、以及与p-GaN层电连接的p电极。本发明更适用于制备大尺寸的LED外延片，且晶体质量提高，LED管芯的光提取效率提升。 | ||
| 申请公布号 | CN105591004A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201610187818.8 | 申请日期 | 2016.03.29 |
| 申请人 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 发明人 | 张丽旸;程凯 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人 | 冯倩 |
| 主权项 | 一种基于图形化Si衬底的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片包括：图形化Si衬底；生长在图形化Si衬底上的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>涂层；以及在Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>涂层上依次生长的外延层。 | ||
| 地址 | 215124 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢（NW-20幢）517-A室 | ||