横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提出一种横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)元件及其制造方法。LDMOS元件形成于第一导电型基板中，包含高压井区、第一场氧化区、至少一第二场氧化区、源极、漏极、本体区、以与门极；其中，由俯视图视之，第二场氧化区位于第一场氧化区与漏极之间，该高压井区中的第二导电型杂质浓度的分布，相关于该第二场氧化区的位置。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体元件，形成于一第一导电型基板中，该基板具有一上表面，包含：一第二导电型高压井区，形成于该上表面下的该基板中；一第一场氧化区，形成于该上表面上，由俯视图视之，该第一场氧化区位于该高压井区中；一栅极，形成于该上表面上，且该栅极包括一第一部分，位于该第一场氧化区上；一第二导电型源极与一第二导电型漏极，分别形成于该栅极两侧的该上表面下方；一第一导电型本体区，形成于该上表面下该基板中，与该源极位于该栅极同侧，且该源极位于该本体区中；以及至少一第二场氧化区，形成于该上表面上，由俯视图视之，该第二场氧化区位于该第一场氧化区与该漏极之间，其特征在于，该第一场氧化区与该至少一第二场氧化区之间，定义至少一开口区，该开口区于该上表面下方的第二导电型杂质浓度，高于该第一场氧化区与该第二场氧化区下方的第二导电型杂质浓度。