| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的背面形成有硅通孔，其中所述硅通孔包括金属材料形成的导电层；步骤S2：对所述器件晶圆进行背部研磨至所述硅通孔的顶部，以减小所述器件晶圆的厚度；步骤S3：蚀刻所述器件晶圆的背面，以露出部分所述硅通孔；步骤S4：回蚀刻露出的所述硅通孔，以去除所述器件晶圆背面和/或所述硅通孔表面残留的所述金属材料。本发明所述方法可以很好地解决现有技术中介电层碎裂的问题，提高了器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105590868A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410559225.0 | 申请日期 | 2014.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张先明;李志超 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括： 步骤S1：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的背面形成有硅通孔，其中所述硅通孔包括金属材料形成的导电层； 步骤S2：对所述器件晶圆进行背部研磨至所述硅通孔的顶部，以减小所述器件晶圆的厚度； 步骤S3：蚀刻所述器件晶圆的背面，以露出部分所述硅通孔； 步骤S4：回蚀刻露出的所述硅通孔，以去除所述器件晶圆背面和/或所述硅通孔表面残留的所述金属材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||