| 发明名称 | 背面钝化太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种背面钝化太阳能电池的制备方法，其避免使用背面PN结刻蚀设备、节约成本。一种背面钝化太阳能电池的制备方法，依次包括如下步骤：S1、对硅片的表面进行抛光；S2、在所述硅片的背面镀钝化膜；S3、在所述钝化膜上镀氮化硅层；S4、对所述硅片的正面制绒形成绒面；S5、对所述硅片的正面进行扩散；S6、去除所述硅片正面的磷硅玻璃；S7、在所述硅片正面形成减反膜；S8、在所述硅片背面形成背电极，在所述硅片正面形成正电极；S9、烧结。 | ||
| 申请公布号 | CN105590993A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201610110915.7 | 申请日期 | 2016.02.29 |
| 申请人 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 发明人 | 魏青竹;王志刚;倪志春;陆俊宇;汪燕玲;易辉;苗凤秀;连维飞 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/049(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 孙仿卫 |
| 主权项 | 一种背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：S1、对硅片的表面进行抛光；S2、在所述硅片的背面镀钝化膜；S3、在所述钝化膜上镀氮化硅层；S4、对所述硅片的正面制绒形成绒面；S5、对所述硅片的正面进行扩散；S6、去除所述硅片正面的磷硅玻璃；S7、在所述硅片正面形成减反膜；S8、在所述硅片背面形成背电极，在所述硅片正面形成正电极；S9、烧结。 | ||
| 地址 | 215542 江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号 | ||