| 发明名称 | 一种沟槽型FRD芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽型FRD芯片，包括N+衬底层、N-外延层、P型掺杂区、氧化层、铝层和金属层，所述N-外延层设置在N+衬底层上，所述P型掺杂区设置在N-外延层上，所述氧化层设置在终端区的P型掺杂区上，所述铝层设置在有源区的P型掺杂区上，所述金属层设置在N+衬底层远离N-外延层的一侧，所述终端区的P型掺杂区内刻蚀有终端区沟槽，所述有源区的P型掺杂区内刻蚀有有源区沟槽，所述终端区沟槽和有源区沟槽内填充有氧化物。本实用新型中沟槽型结构有效的减少了正向压降，降低了漏电的风险，保证了其使用过程中的高效和安全，且结构简单，有效的降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN205248281U | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201521097579.4 | 申请日期 | 2015.12.24 |
| 申请人 | 张家港意发功率半导体有限公司 | 发明人 | 周炳;石英学;张志娟;郝建勇 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人 | 曹军 |
| 主权项 | 一种沟槽型FRD芯片，其特征在于，包括N+衬底层、N‑外延层、P型掺杂区、氧化层、铝层和金属层，所述N‑外延层设置在N+衬底层上，所述P型掺杂区设置在N‑外延层上，所述氧化层设置在终端区的P型掺杂区上，所述铝层设置在有源区的P型掺杂区上，所述金属层设置在N+衬底层远离N‑外延层的一侧，所述终端区的P型掺杂区内刻蚀有终端区沟槽，所述有源区的P型掺杂区内刻蚀有有源区沟槽，所述终端区沟槽和有源区沟槽内填充有氧化物。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港经济开发区南区新丰东路3号 | ||