半导体器件和制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件和制造方法。在各个实施例中，一种半导体器件可以包括：载体；半导体芯片，设置在载体的第一侧上方；叠层，设置在载体与半导体芯片之间或者载体的与半导体芯片相对的第二侧上方或者二者，该叠层至少包括第一电绝缘层，该第一电绝缘层具有层压片，该层压片具有第一电绝缘基质材料以及嵌入到第一电绝缘基质材料中的第一机械稳定材料。

主权项

一种半导体器件，包括：载体；半导体芯片，设置在载体的第一侧上方；叠层，设置在载体与半导体芯片之间，该叠层至少包括第一电绝缘层，该第一电绝缘层包括层压片，该层压片包括第一电绝缘基质材料以及嵌入到第一电绝缘基质材料中的第一机械稳定材料，其中，该叠层在载体的第一侧上方和在载体的第一侧上延伸，在载体的至少一个侧壁上方和在载体的至少一个侧壁上延伸，以及在载体的背离半导体芯片的第二侧上方和在载体的背离半导体芯片的第二侧上延伸；该叠层进一步包括直接设置在第一电绝缘层上和上方的第二电绝缘层，第二电绝缘层包括层压片，该层压片包括第二电绝缘基质材料以及嵌入到第二电绝缘基质材料中的第二机械稳定材料，其中，第一电绝缘层邻近第二电绝缘层，以及界面区，包括第一电绝缘层的表面和第二电绝缘层的表面的相遇，其中，在界面区处，第一和第二电绝缘层中的每一个展现明显不同和单独的表面属性，其降低了一个或多个缺陷穿透叠层的整个厚度的概率；其中，第一电绝缘层和第二电绝缘层在不同的时间处分开地形成，并且其中，第一和第二电绝缘层中的一个包括氮化物材料，以及其中，该半导体芯片被直接设置在叠层上。