沟槽型金属氧化物半导体场效应管的制作方法

摘要

本发明涉及电子器件领域，公开了一种沟槽型金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明中，不同宽度的沟槽，在填充多晶硅后形成两级场板的效果，可以将电场峰值转移至场板末端，即窄多晶硅的底部，同时通过优化长度可以降低电场峰值，提高耐压，提高产品的非钳制电感性开关特性，降低导通电阻，降低产品的导通功耗。沟槽穿透外延层，并深入到衬底中，可以避免沟槽底部存在电场，避免底部发生击穿现象。

主权项

一种沟槽型金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一类型衬底上生长外延层，注入第二类型半导体材料，并推阱形成第二类型半导体阱；腐蚀外延层至衬底，形成沟槽；淀积氧化层填充沟槽，然后回刻，根据需要保留沟槽内氧化层的厚度；淀积氧化层，氧化层厚度为原始沟槽的宽度减去保留所需的窄沟槽的宽度，形成窄沟槽；用聚酰亚胺填充窄沟槽，然后回刻，残留的聚酰亚胺的厚度为需要保留的窄沟槽的深度；腐蚀氧化层，去除聚酰亚胺，形成窄沟槽；生长栅氧化层，淀积多晶硅填充沟槽，然后干法回刻多晶硅，形成栅电极；在所述生长栅氧化层，淀积多晶硅填充沟槽，然后干法回刻多晶硅，形成栅电极的步骤之后，还包括以下步骤：对多晶硅进行热氧氧化，生长氧化层，保护裸露的多晶硅；在第二类型半导体阱上注入第一类型半导体材料，形成重掺杂的第一类型源区；在第二类型半导体阱上注入第二类型半导体材料，形成重掺杂的第二类型区；淀积氧化绝缘层，隔离所述沟槽型金属氧化物半导体场效应管的栅极和源极；淀积金属形成正面栅电极和源电极；反转硅片，研磨背面，减薄至封装所需厚度，腐蚀硅去应力，淀积金属形成背面的漏电极；在所述在第一类型衬底上生长外延层，注入第二类型半导体材料，并推阱形成第二类型半导体阱的步骤中，包括以下子步骤：在第一类型衬底上生长外延层，生长产品所需厚度和所需的电阻率；用对准标记掩膜版定义对准标记图形，腐蚀3000埃至5000埃的衬底形成对准标记；生长热氧化层，做为离子注入的阻挡缓冲层，作为第二类型半导体阱注入的阻挡层，注入第二类型半导体材料，根据开启电压的要求，浓度在1E13CM‑3至3E13CM‑3之间，在1000摄氏度至1150摄氏度下退火。