| 发明名称 | 半导体封装结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括第一衬底及第二衬底。第一衬底包括有源层及半导体层。有源层具有第一表面及相对于第一表面的第二表面，有源层包括终止层及第一侧壁，第一侧壁位于终止层上。半导体层具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。半导体层的第一表面邻近于有源层的第二表面。半导体层包括第二侧壁，第二侧壁从第一侧壁延伸到半导体层的第二表面。第二衬底包括第一表面及第二表面，第二表面相对于第一表面且连接有源层的第一表面。 | ||
| 申请公布号 | CN105590925A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410565845.5 | 申请日期 | 2014.10.22 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 许晋铭;尤惠茹;王永辉;欧晋德 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种半导体封装结构，其包括：第一衬底，所述第一衬底包括：有源层，所述有源层具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述有源层包括终止层及第一侧壁，所述第一侧壁位于所述终止层上；半导体层，所述半导体层具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述半导体层的第一表面邻近于所述有源层的第二表面且所述半导体层具有第二侧壁，所述第二侧壁从所述第一侧壁延伸到所述半导体层的第二表面；及第二衬底，所述第二衬底包括：第一表面；及第二表面，所述第二表面相对于所述第一表面且连接所述有源层的第一表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 | ||