修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法

摘要

本发明公开了一种修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法，装置包括操作台、设于操作台上的试验腔、设于试验腔内及操作台台面上的样品基座支架、样品基座、连接试验腔的样品输送道、设于样品输送道内的可伸缩的传送杆、真空抽放装置、充气装置、微波发生器和红外线温度计；微波退火方法是对InP基HEMT器件进行质子辐照，使用缺陷表征设备测得质子辐照后的InP基HEMT器件的多种性能特性、参数，待完成微波退火处理后，再次进行InP基HEMT器件的多种性能特性、参数的比对，从而判定微波退火处理对辐照缺陷的修复作用；利用微波退火处理方法减少半导体器件结构中的缺陷，使半导体器件电学特性得到一定程度的恢复。

主权项

一种修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置，其特征在于：包括操作台、设于操作台上的试验腔、设于试验腔内及操作台台面上的样品基座支架、样品基座、连接试验腔的样品输送道、设于样品输送道内的可伸缩的传送杆、真空抽放装置、充气装置、微波发生器和红外线温度计，所述的试验腔与操作台台面密封连接，样品基座放置于样品基座支架上，样品输送道导通连接试验腔，真空抽放装置设于输送道上，可伸缩传送杆的始端活动连接样品基座，充气装置导通连接试验腔，微波发生器设于试验腔内顶部，红外线温度计设于样品基座下方、操作台台面上方。