发明名称 |
通过选择性处理暴露封装件中的连接件 |
摘要 |
本发明公开了一种在封装件上实施蚀刻步骤的方法。所述封装件包括封装部件,在所述封装部件的顶面上的连接件,接合到所述封装部件的顶面的管芯,以及模制在所述封装部件的顶面上方的模制材料。所述模制材料覆盖所述连接件,其中通过所述蚀刻步骤去除覆盖所述连接件的所述模制材料的一部分,并暴露所述连接件。本发明还公开了通过选择性处理暴露封装件中的连接件。 |
申请公布号 |
CN103177977B |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201210242469.7 |
申请日期 |
2012.07.12 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
余振华;刘重希;林俊成;陈孟泽;郑明达 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种封装件的形成方法,所述方法包括:在封装件上实施蚀刻步骤,其中所述封装件包括:封装部件,连接件,设置在所述封装部件的顶面上;管芯,接合到所述封装部件的所述顶面;以及模制材料,模制在所述封装部件的所述顶面上方,其中所述模制材料覆盖所述连接件,通过所述蚀刻步骤去除覆盖所述连接件的所述模制材料的一部分,以及在所述蚀刻步骤之后暴露所述连接件,暴露后的所述连接件没有残留的模制材料。 |
地址 |
中国台湾新竹 |