半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成氧化物半导体层；通过在400℃或更高的温度下的第一热处理使所述氧化物半导体层经受脱水或脱氢使得一部分所述氧化物半导体层变为处于氧不足状态中，其中在所述脱水或脱氢之后不将所述氧化物半导体层暴露于空气以防止水或氢进入所述氧化物半导体层；使得所述氧化物半导体层经受使用N₂O、N₂、或Ar的等离子体处理；在所述等离子体处理之后，形成与所述氧化物半导体层的至少一部分相接触的绝缘层；以及在200℃至400℃的温度下执行所述绝缘层和所述氧化物半导体层的第二热处理以解决所述一部分所述氧化物半导体层的氧不足状态。