一种肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管，属于半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于所述衬底之上；终端结构，位于所述外延层内，且绕所述外延层上表面一周设置，所述终端结构限定区域内的外延层上表面为凹凸结构；势垒区，位于所述终端结构限定区域内的外延层之上，且与所述终端结构电连接，所述势垒区与所述外延层的接触面为凹凸结构；正面电极，位于所述势垒区之上；背面电极，位于所述衬底之下。本发明所述的肖特基二极管的势垒区与外延层的接触面为凹凸结构，大大增加了势垒区的面积，使得单位面积硅层上的势垒区面积得到增加，电流导通方向是多个方向，降低了肖特基二极管的正向导通压降。

主权项

一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底之上；终端结构，位于所述外延层内，且绕所述外延层上表面一周设置，所述终端结构限定区域内的外延层上表面为凹凸结构；势垒区，位于所述终端结构限定区域内的外延层之上，且与所述终端结构电连接，所述势垒区与所述外延层的接触面为凹凸结构；正面电极，位于所述势垒区之上；背面电极，位于所述衬底之下。