发明名称 |
大面积发光二极管照明装置 |
摘要 |
一种大面积发光二极管照明装置,包含一磊晶基板、一发光膜层结构,及至少一电极单元。该磊晶基板尺寸大于或等于1英寸。发光膜层结构包括一设置于该磊晶基板的上的第一型半导体层、一设置于该第一型半导体层上的主动层,及一设置于该主动层上的第二型半导体层。发光膜层结构的一尺寸是大于或等于1英寸并定义出至少一晶粒,且该晶粒是自该第一型半导体层朝该第二型半导体层凸伸,并局部裸露出该第一型半导体层以定义出该晶粒的一平台。电极单元包括一电连接且设置于该晶粒的平台上的第一电极,及一电连接于该晶粒的第二型半导体层的第二电极。该磊晶基板与该发光膜层结构无须切割,可直接于磊晶基板上呈现大发光面积,借此可简化制程降低成本。 |
申请公布号 |
CN205248298U |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201521073465.6 |
申请日期 |
2015.12.21 |
申请人 |
蔡秈芸;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 |
发明人 |
蔡秈芸;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 |
代理人 |
张雅军 |
主权项 |
一种大面积发光二极管照明装置,其特征在于:包含:一磊晶基板,尺寸大于或等于1英寸;一发光膜层结构,包括一设置于该磊晶基板上的第一型半导体层、一设置于该第一型半导体层上的主动层,及一设置于该主动层上的第二型半导体层,该发光膜层结构的一尺寸是大于或等于1英寸并定义出至少一晶粒,且该晶粒是自该第一型半导体层朝该第二型半导体层凸伸,并局部裸露出该第一型半导体层以定义出该晶粒的一平台;及至少一电极单元,包括一第一电极及一第二电极,该第一电极电连接且设置于该晶粒的平台上,该第二电极电连接于该晶粒的第二型半导体层。 |
地址 |
中国台湾台中市 |