发明名称 大面积发光二极管照明装置
摘要 一种大面积发光二极管照明装置,包含一磊晶基板、一发光膜层结构,及至少一电极单元。该磊晶基板尺寸大于或等于1英寸。发光膜层结构包括一设置于该磊晶基板的上的第一型半导体层、一设置于该第一型半导体层上的主动层,及一设置于该主动层上的第二型半导体层。发光膜层结构的一尺寸是大于或等于1英寸并定义出至少一晶粒,且该晶粒是自该第一型半导体层朝该第二型半导体层凸伸,并局部裸露出该第一型半导体层以定义出该晶粒的一平台。电极单元包括一电连接且设置于该晶粒的平台上的第一电极,及一电连接于该晶粒的第二型半导体层的第二电极。该磊晶基板与该发光膜层结构无须切割,可直接于磊晶基板上呈现大发光面积,借此可简化制程降低成本。
申请公布号 CN205248298U 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201521073465.6 申请日期 2015.12.21
申请人 蔡秈芸;李佳珍;彭浩婷;李淑芬 发明人 蔡秈芸;李佳珍;彭浩婷;李淑芬
分类号 H01L33/20(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I 主分类号 H01L33/20(2010.01)I
代理机构 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人 张雅军
主权项 一种大面积发光二极管照明装置,其特征在于:包含:一磊晶基板,尺寸大于或等于1英寸;一发光膜层结构,包括一设置于该磊晶基板上的第一型半导体层、一设置于该第一型半导体层上的主动层,及一设置于该主动层上的第二型半导体层,该发光膜层结构的一尺寸是大于或等于1英寸并定义出至少一晶粒,且该晶粒是自该第一型半导体层朝该第二型半导体层凸伸,并局部裸露出该第一型半导体层以定义出该晶粒的一平台;及至少一电极单元,包括一第一电极及一第二电极,该第一电极电连接且设置于该晶粒的平台上,该第二电极电连接于该晶粒的第二型半导体层。
地址 中国台湾台中市
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