发明名称 |
一种用于硅片表面制样前的表面腐蚀装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种用于硅片表面制样前的表面腐蚀装置。该装置包括腐蚀腔体,该腐蚀腔体分别连接有真空泵、氮气源、HF容器、排气系统;其中氮气源经湿度控制器连接到该腐蚀腔体的氮气入口;HF容器经进气管路连接氮气源,经出气管路连接到腐蚀腔体的HF气体入口。本实用新型利用抽真空和加湿技术,将本来环境的湿度影响去除,控制腔体内气体的湿度,不管洁净间内湿度如何,腔体内情况必然不受影响而且可控制,硅片表面的腐蚀情况相对稳定,有利于下一步用液滴对硅片疏水表面的扫描和金属杂质的收集。 |
申请公布号 |
CN205248242U |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201521066290.6 |
申请日期 |
2015.12.18 |
申请人 |
有研半导体材料有限公司 |
发明人 |
盛方毓;程凤伶;刘斌;肖清华 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
刘秀青;熊国裕 |
主权项 |
一种用于硅片表面制样前的表面腐蚀装置,其特征在于,该装置包括腐蚀腔体,该腐蚀腔体分别连接有真空泵、氮气源、HF容器、排气系统;其中氮气源经湿度控制器连接到该腐蚀腔体的氮气入口;HF容器经进气管路连接氮气源,经出气管路连接到腐蚀腔体的HF气体入口。 |
地址 |
101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 |