发明名称 一种用于硅片表面制样前的表面腐蚀装置
摘要 本实用新型公开了一种用于硅片表面制样前的表面腐蚀装置。该装置包括腐蚀腔体,该腐蚀腔体分别连接有真空泵、氮气源、HF容器、排气系统;其中氮气源经湿度控制器连接到该腐蚀腔体的氮气入口;HF容器经进气管路连接氮气源,经出气管路连接到腐蚀腔体的HF气体入口。本实用新型利用抽真空和加湿技术,将本来环境的湿度影响去除,控制腔体内气体的湿度,不管洁净间内湿度如何,腔体内情况必然不受影响而且可控制,硅片表面的腐蚀情况相对稳定,有利于下一步用液滴对硅片疏水表面的扫描和金属杂质的收集。
申请公布号 CN205248242U 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201521066290.6 申请日期 2015.12.18
申请人 有研半导体材料有限公司 发明人 盛方毓;程凤伶;刘斌;肖清华
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 刘秀青;熊国裕
主权项 一种用于硅片表面制样前的表面腐蚀装置,其特征在于,该装置包括腐蚀腔体,该腐蚀腔体分别连接有真空泵、氮气源、HF容器、排气系统;其中氮气源经湿度控制器连接到该腐蚀腔体的氮气入口;HF容器经进气管路连接氮气源,经出气管路连接到腐蚀腔体的HF气体入口。
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