发明名称 CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS AND CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD
摘要 본 발명의 일 태양의 하전 입자 빔 묘화 장치는, 편향 영역의 사이즈가 각 단에 따라 각각 다른 3 단 이상의 편향 영역층 중, 최소 편향 영역층을, 제1 및 제2 성형 애퍼처를 이용하여 가변 성형 가능한 복수의 도형종의 도형종마다 작성하는 작성부와, 복수의 샷 도형 패턴을, 각각 대응하는 도형종의 최소 편향 영역층의 편향 영역으로 할당하는 할당부와, 도형종마다의 가변 성형 위치에 따라, 각 최소 편향 영역층의 위치를 이탈되게 보정하는 보정부와, 도형종마다 최소 편향 영역층의 위치가 보정된 상태에서, 하전 입자 빔을 이용하여, 시료 상에 각 샷 도형 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR101621784(B1) 申请公布日期 2016.05.17
申请号 KR20140112300 申请日期 2014.08.27
申请人 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 发明人 야시마 준
分类号 H01L21/027;H01L21/66 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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