发明名称 |
ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUITS |
摘要 |
집적 회로들(IC들)에서 ESD(electro-static discharge) 성능을 개선하기 위한 기술들이 개시된다. 일 양상에서, 하나 또는 그 초과의 보호 다이오드들은 IC의 다양한 노드들 간에 제공된다. 예를 들어, 보호 다이오드(들)는 증폭기 입력 트랜지스터의 드레인과 게이트 간에 및/또는 드레인과 접지 간 등에 제공될 수 있다. 특정한 예시적인 실시예들에서, 증폭기는 캐스코드 증폭기일 수 있다. ESD 현상을 효과적으로 처리하기 위한 다른 양상들이 설명된다. |
申请公布号 |
KR20160055201(A) |
申请公布日期 |
2016.05.17 |
申请号 |
KR20167009193 |
申请日期 |
2014.09.04 |
申请人 |
QUALCOMM INCORPORATED |
发明人 |
YOUSSEF AHMED ABDEL MONEM;GUDEM PRASAD SRINIVASA SIVA;CHANG LI CHUNG;ABDEL GHANY EHAB AHMED SOBHY |
分类号 |
H01L27/02;H02H9/04;H03F1/22;H03F1/52 |
主分类号 |
H01L27/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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