发明名称 ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUITS
摘要 집적 회로들(IC들)에서 ESD(electro-static discharge) 성능을 개선하기 위한 기술들이 개시된다. 일 양상에서, 하나 또는 그 초과의 보호 다이오드들은 IC의 다양한 노드들 간에 제공된다. 예를 들어, 보호 다이오드(들)는 증폭기 입력 트랜지스터의 드레인과 게이트 간에 및/또는 드레인과 접지 간 등에 제공될 수 있다. 특정한 예시적인 실시예들에서, 증폭기는 캐스코드 증폭기일 수 있다. ESD 현상을 효과적으로 처리하기 위한 다른 양상들이 설명된다.
申请公布号 KR20160055201(A) 申请公布日期 2016.05.17
申请号 KR20167009193 申请日期 2014.09.04
申请人 QUALCOMM INCORPORATED 发明人 YOUSSEF AHMED ABDEL MONEM;GUDEM PRASAD SRINIVASA SIVA;CHANG LI CHUNG;ABDEL GHANY EHAB AHMED SOBHY
分类号 H01L27/02;H02H9/04;H03F1/22;H03F1/52 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人
主权项
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