| 发明名称 |
MOSFETNANOWIRE MOSFET WITH DIFFERENT SILICIDES ON SOURCE AND DRAIN |
| 摘要 |
나노와이어 FET(field effect transistor) 장치 및 나노와이어 FET 장치를 형성하는 방법이 제공되어 있다. 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 나노와이어 FET가 형성된다. 나노와이어 FET는 소스 영역과 드레인 영역을 연결시키는 나노와이어를 더 포함한다. 소스 실리사이드가 소스 영역 상에 형성되고, 드레인 실리사이드가 드레인 영역 상에 형성된다. 소스 실리사이드는 드레인 실리사이드를 구성하는 제2 물질과 상이한 제1 물질로 이루어져 있다. |
| 申请公布号 |
KR101622037(B1) |
申请公布日期 |
2016.05.17 |
| 申请号 |
KR20140124286 |
申请日期 |
2014.09.18 |
| 申请人 |
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 |
发明人 |
콜링게 쟝 피에르;린 쳉퉁;칭 쿼쳉;디아즈 카를로스 에이치 |
| 分类号 |
H01L21/24;H01L21/335;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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