CMOS CMOS DEVICES WITH REDUCED LEAKAGE AND METHODS OF FORMING THE SAME

摘要

디바이스는 제1 반도체층, 및 상기 제1 반도체층 위의 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 상이한 물질을 포함한다. 반도체 지역은 제2 반도체층 위에 있고 그리고 이와 접촉하며, 반도체 지역의 바닥 표면은 제2 반도체층의 제1 상부 표면과 접촉한다. 반도체 지역 및 제2 반도체층은 상이한 물질을 포함한다. 반도체 지역의 바닥 표면은 제2 반도체층의 (551) 표면 평면과 접촉하는 경사진 부분을 갖는다.