发明名称 半导体封装结构及其制法
摘要 半导体封装结构及其制法,半导体封装结构系包括介电层、第一线路层、复数导电柱、第二线路层以及复数突出构件。介电层系具有相对之第一与第二表面,第一线路层系嵌埋于介电层内并外露于第一表面,导电柱系嵌埋于介电层内并外露于第二表面,且导电柱系电性连接第一线路层,第二线路层系形成于介电层之第二表面上并电性连接外露于第二表面之导电柱,突出构件系形成于第一线路层上。藉此,本发明可藉由突出构件之较大接触面积以提升接合强度。
申请公布号 TW201618256 申请公布日期 2016.05.16
申请号 TW103139186 申请日期 2014.11.12
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 萧惟中
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 陈昭诚
主权项 一种半导体封装结构,其包括:介电层,系具有相对之第一表面与第二表面;第一线路层,系嵌埋于该介电层内并令该第一线路层之一表面外露于该介电层之第一表面;复数导电柱,系嵌埋于该介电层内并令该导电柱一端外露于该介电层之第二表面,且该些导电柱系分别电性连接该第一线路层;第二线路层,系形成于该介电层之第二表面上,并电性连接外露于该介电层之第二表面之该些导电柱;以及复数突出构件,系分别形成于外露该介电层之第一表面之第一线路层上。
地址 台中市潭子区大丰路3段123号