主权项 |
一种半导体装置之制造方法,其包括藉由进行特定次数之非同时地进行如下步骤之循环而于上述基板上形成膜之步骤:对处理室内之基板供给原料气体之步骤;自上述处理室内排出上述原料气体之步骤;对上述处理室内之上述基板供给含氧气体之步骤;自上述处理室内排出上述含氧气体之步骤;对上述处理室内之上述基板供给含氢气体之步骤;及自上述处理室内排出上述含氢气体之步骤,且使上述排出含氧气体之步骤及上述排出含氢气体之步骤中之气体排出效果及效率中至少任一者,大于上述排出原料气体之步骤中对应之排出效果及效率中至少任一者。
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