发明名称 半导体装置之制造方法、基板处理装置及记录媒体
摘要 明之半导体装置之制造方法系抑制于基板上形成膜时之颗粒之产生。
申请公布号 TW201618213 申请公布日期 2016.05.16
申请号 TW104126538 申请日期 2015.08.14
申请人 日立国际电气股份有限公司 发明人 小仓慎太郎;笹岛亮太
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项 一种半导体装置之制造方法,其包括藉由进行特定次数之非同时地进行如下步骤之循环而于上述基板上形成膜之步骤:对处理室内之基板供给原料气体之步骤;自上述处理室内排出上述原料气体之步骤;对上述处理室内之上述基板供给含氧气体之步骤;自上述处理室内排出上述含氧气体之步骤;对上述处理室内之上述基板供给含氢气体之步骤;及自上述处理室内排出上述含氢气体之步骤,且使上述排出含氧气体之步骤及上述排出含氢气体之步骤中之气体排出效果及效率中至少任一者,大于上述排出原料气体之步骤中对应之排出效果及效率中至少任一者。
地址 日本