| 发明名称 |
半导体发光装置之制造方法 |
| 摘要 |
半导体发光装置之制造方法，其包含：将聚矽氧树脂组成物涂布于半导体发光元件之表面之步骤，与藉由使该涂布之聚矽氧树脂组成物热硬化而形成覆盖前述半导体发光元件之表面之密封部之步骤；前述聚矽氧树脂组成物相对于该聚矽氧树脂组成物之固体成分之总质量包含60质量%以上之聚矽氧树脂，该聚矽氧树脂之构成成分之矽原子仅为实质上键结3个氧原子之矽原子；将热硬化前之该聚矽氧树脂之1000~1050cm-1下之源自Si-O-Si键之红外线吸收光谱之波峰位置设为a cm-1，将热硬化后之该聚矽氧树脂组成物之950~1050cm-1下之源自Si-O-Si键之红外线吸收光谱之波峰位置设为b cm-1时，该热硬化系在满足5<a-b<20之条件下进行。
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| 申请公布号 |
TW201618338 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104124389 |
申请日期 |
2015.07.28 |
| 申请人 |
住友化学股份有限公司 |
发明人 |
吉川岳;高岛正之 |
| 分类号 |
H01L33/56(2010.01);C08G77/06(2006.01);C08L83/06(2006.01);H01L23/29(2006.01);H01L23/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/56(2010.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体发光装置之制造方法，其包含下列步骤：将聚矽氧树脂组成物涂布于半导体发光元件之表面之步骤，藉由使前述涂布之聚矽氧树脂组成物热硬化而形成覆盖前述半导体发光元件之表面之密封部之步骤，前述聚矽氧树脂组成物相对于前述聚矽氧树脂组成物之固体成分之总质量包含60质量%以上之聚矽氧树脂，该聚矽氧树脂之构成成分之矽原子仅为实质上键结3个氧原子之矽原子，将热硬化前之前述聚矽氧树脂之1000~1050cm-1下之源自Si-O-Si键之红外线吸收光谱之波峰位置设为a cm-1，将热硬化后之前述聚矽氧树脂组成物之950~1050cm-1下之源自Si-O-Si键之红外线吸收光谱之波峰位置设为b cm-1时，前述热硬化系在满足5<a-b<20之条件下进行。
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| 地址 |
日本 |
