| 主权项 |
一种记忆体装置，其包含：一第一导电性类型的半导体材料之一基材；经形成于该基材上之相隔开的隔离区域，该等隔离区域实质上彼此平行且在一第一方向上延伸，相邻的隔离区域之各对之间有一作用区域，该作用区域亦在该第一方向上延伸；该等作用区域之各者包括复数对(pair)记忆体单元，该等记忆体单元对之各者包括：第一及第二区域，其等在该基材中经相隔开且具有不同于该第一导电性类型的一第二导电性类型，在该基材中有延伸于该等第一与第二区域之间的一连续通道区域，一第一浮闸，其设置于与该第一区域相邻的该通道区域之一第一部分上方且与该第一部分绝缘，一第二浮闸，其设置于与该第二区域相邻的该通道区域之一第二部分上方且与该第二部分绝缘，一抹除闸，其设置于介于该等第一与第二通道区域部分之间的该通道区域之一第三部分上方且与该第三部分绝缘，一第一控制闸，其设置于该第一浮闸上方且与该第一浮闸绝缘，及一第二控制闸，其设置于该第二浮闸上方且与该第二浮闸绝缘；其中该等对记忆体单元经组态成一阵列，使得对于该等对记忆体单元之各对而言，该通道区域在该第一方向上自该第一区域延伸至该第二
区域，该第一区域电性连接至在相同作用区域中的相邻的一对记忆体单元之第二区域，且该第二区域电性连接至在相同作用区域中的相邻的一对记忆体单元之第一区域。
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