发明名称 高速・低電力センス増幅器
摘要 未使用メモリアレイの中のビットラインを利用して別のメモリアレイの中の選択されたセルと比較するために基準値を供給する改良型センシング回路が開示される。およそ許容可能な閾値である漏れ電流を伴うビットラインを識別する自己診断を実行することができる回路も開示される。
申请公布号 JP2016513852(A) 申请公布日期 2016.05.16
申请号 JP20150561887 申请日期 2013.03.15
申请人 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. 发明人 ピ シャオ ヤン;チャン シャオチョウ;ユエ カイ マン;チョウ ヤオ;シュ ヤオファ
分类号 G11C16/06;G11C29/12 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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