半导体装置和其制造方法

摘要

半导体装置及其制造方法。半导体装置包括具有第一薄膜电晶体的像素部分和具有第二薄膜电晶体的驱动器电路。第一薄膜电晶体和第二薄膜电晶体中的每个都包括闸极电极层、闸极绝缘层、半导体层、源极电极层，及汲极电极层。第一薄膜电晶体的每个层都具有光透射性质。第一薄膜电晶体的闸极电极层、源极电极层及汲极电极层的材料不同于第二电晶体的那些，并且第二薄膜电晶体的电阻每个都小于第一薄膜电晶体的电阻。

主权项

一种半导体装置，包含：第一导电层；在该第一导电层上的第一绝缘层；在该第一绝缘层上的氧化物半导体层；在该氧化物半导体层上的第二绝缘层；电连接到该氧化物半导体层的第二导电层；以及电连接到该氧化物半导体层的第三导电层；在该第二绝缘层上的第四导电层；其中该第一导电层包含作用为电晶体的第一闸极电极之区域，其中该第二导电层包含作用为该电晶体的源极电极和汲极电极之一者的区域，其中该第三导电层包含作用为该电晶体的该源极电极和该汲极电极之另一者的区域，其中该第四导电层包含作用为该电晶体的第二闸极电极之区域，其中该第一导电层包含第二层堆叠在第一层上的区域，以及其中该第一层的端部包含延伸超出该第二层的端部之区域。