| 发明名称 |
改良之氮化镓结构 |
| 摘要 |
明揭示一种半导体装置。该装置包含：一基板，其包含GaN；一二维电子气(2DEG)感应层，其在该基板上；及一横向电晶体，其在该2DEG感应层上。该横向电晶体包含：源极接触件及汲极接触件，其至该2DEG感应层；一闸极堆叠，其在该等源极接触件与汲极接触件之间；及一场板，其在该闸极接触件与该汲极接触件之间。该装置亦包含该2DEG感应层上之一或多个绝缘层，其中藉由该等绝缘层及该等绝缘层上之一导体将该场板与该2DEG感应层隔开，其中藉由该等绝缘层将该导体之一第一部分与该2DEG感应层隔开达小于200nm之一距离。
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| 申请公布号 |
TW201618276 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104131007 |
申请日期 |
2015.09.18 |
| 申请人 |
纳维达斯半导体公司 |
发明人 |
金泽 丹尼尔Ｍ |
| 分类号 |
H01L27/085(2006.01);H01L21/334(2006.01);H01L21/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/085(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其包括：一基板，其包括GaN；一二维电子气(2DEG)感应层，其在该基板上；一横向电晶体，其在该2DEG感应层上，该横向电晶体包括：源极接触件及汲极接触件，其至该2DEG感应层，一闸极堆叠，其在该等源极接触件与汲极接触件之间，及一场板，其在该闸极接触件与该汲极接触件之间；一或多个绝缘层，其在该2DEG感应层上，其中藉由该等绝缘层将该场板与该2DEG感应层隔开；及一导体，其在该等绝缘层上，其中藉由该等绝缘层将该导体之一第一部分与该2DEG感应层隔开达小于200nm之一距离。
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| 地址 |
美国 |
