记忆体元件之接触窗结构及其制造方法

摘要

记忆体接触窗结构，包括一沟槽，位于与层状之导电及绝缘层相邻之处，此些层内衬于沟槽的侧边与底部。移除沟槽的一部分，以暴露出一表面，在此表面中的一层上方系提供至导电层的电连结。

主权项

【第1项】一种记忆体元件之接触窗结构，包括：一导电材料及一绝缘材料交替之复数层，水平地位于一结构之一第一区域中的一基板之上；一沟槽，形成于该结构的一第二区域中，该第二区域与该第一区域相邻，该沟槽具有该导电材料及该绝缘材料交替之该些层的复数个延伸部分，该些延伸部分位于该沟槽的至少一侧边上方；以及该沟槽之一切去部，该切去部暴露出至一水平平面之一层上方的该导电材料的该些延伸部分，该切去部有效地使该导电材料的该些层与复数个垂直取向的导电结构之间电性连接。