| 发明名称 | 半导体元件与隔离结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 半导体元件与隔离结构之制作方法，首先提供一基底，随后于该基底内形成复数个沟渠式闸极，并在形成该等沟渠式闸极之后，于该基底上依序沈积一第一绝缘层与一第二绝缘层。接下来，进行一第一蚀刻制程，移除部份该第二绝缘层，以暴露出部份该第一绝缘层。之后进行一第二蚀刻制程，移除暴露出之该第二绝缘层，以暴露出该等沟渠式闸极，并定义出至少一主动区域。 | ||
| 申请公布号 | TW201618185 | 申请公布日期 | 2016.05.16 |
| 申请号 | TW103139109 | 申请日期 | 2014.11.11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林宏泽;黄建铭;林信光 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种半导体元件与隔离结构之制作方法，包含有：提供一基底；于该基底内形成复数个沟渠式闸极；在形成该等沟渠式闸极之后，于该基底上依序形成一第一绝缘层与一第二绝缘层；进行一第一蚀刻制程，移除部份该第二绝缘层，以暴露出部份该第一绝缘层；以及进行一第二蚀刻制程，移除暴露出之该第一绝缘层，以暴露出该等沟渠式闸极，并定义出至少一主动区域(active region)。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||