发明名称 |
离子布植过程中控制压力的方法及其离子布植装置 |
摘要 |
离子布植过程中控制压力的方法与离子布植装置。在对具有某图案化光阻层的目标基板进行离子布植前,先对具有此图案化光阻层的测试基板以相同离子束与相同离子布植参数值进行离子布植,以量测腔室组内部压力变化量曲线,而后在目标基板的离子布植期间,据以调控进出腔室组之气体来减少腔室组之内部压力的变化。 |
申请公布号 |
TW201618165 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
申请号 |
TW103139673 |
申请日期 |
2014.11.14 |
申请人 |
汉辰科技股份有限公司 |
发明人 |
倪玉河;林群杰;万 志民 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01);H01J37/317(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡朝安 |
主权项 |
一种离子布植过程中控制压力的方法,包含: 对设置有具特定厚度及特定图案之图案化光阻层的测试基板,以特定离子束与特定布植参数值进行离子布植,并取得在进行离子布植程序时定离子束所经之腔室的内部压力随时间变化之特定压力变化量曲线;以及 对设置此特定光阻层的目标基板,以此特定离子束与此特定布植参数值进行离子布植,并于目标基板进行离子布植程序的期间,依据特定压力变化量曲线同时进行压力调节步骤,减少腔室之内部压力的变化量。 |
地址 |
新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼 |