记忆元件及其操作方法

摘要

记忆元件及其操作方法。记忆元件包括基底、多数个字元线以及多数个虚拟字元线。所述字元线以及所述虚拟字元线位于基底上。每一虚拟字元线的至少一侧与字元线相邻。至少一字元线以及至少一虚拟字元线形成一群组。所述记忆元件的操作方法包括以下步骤。选择至少一群组，并对所述群组进行操作。施加第一偏压至所述群组中的字元线。施加第二偏压至所述群组中的虚拟字元线。

主权项

一种记忆元件的操作方法，该记忆元件包括一基底、多数个字元线以及多数个虚拟字元线，该些字元线以及该些虚拟字元线位于该基底上，每一虚拟字元线的至少一侧与所述字元线相邻，其中至少一字元线以及至少一虚拟字元线形成一群组，该操作方法包括： 选择至少一群组，并对所述群组进行一操作； 施加一第一偏压至所述群组中的所述字元线；以及 施加一第二偏压至所述群组中的所述虚拟字元线。