| 发明名称 |
电晶体 |
| 摘要 |
一种电晶体，具有有利的电气特性和高可靠性，及包括该电晶体之显示装置。该电晶体为底闸电晶体使用用于通道区之氧化物半导体而予形成。历经经由热处理之脱水或脱氢的氧化物半导体层被用做活动层。该活动层包括微晶化表面部分之第一区及其余部分之第二区。经由使用具有该等结构之该氧化物半导体层，改变为n型，归因于湿气进入该表面部分，或氧从该表面部分排除，并可抑制寄生通道之产生。此外，并可减少该氧化物半导体层与源极及汲极电极之间的接触电阻。
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| 申请公布号 |
TW201618233 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW105103565 |
申请日期 |
2010.09.13 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 |
| 分类号 |
H01L21/77(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L21/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/1368(2006.01);G09F9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：氧化物半导体层，包含第一区及第二区；氧化物绝缘层，与该第一区相接触；以及导电层，与该第二区相接触，其中，该第一区包含第一结晶与第二结晶，其中，该第一结晶系比该第二结晶更接近该氧化物半导体层的表面，且其中，该第一结晶在垂直于该氧化物半导体层的该表面方向上为c轴取向。
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| 地址 |
日本 |
