发明名称 |
图案形成方法、抗蚀剂图案及电子元件的制造方法 |
摘要 |
明的目的在于提供一种DOF良好的图案形成方法、利用所述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、以及包含所述图案形成方法的电子元件的制造方法。本发明的图案形成方法包括:步骤a,将感光化射线性或感放射线性树脂组成物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜;步骤b,藉由在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组成物,而于所述抗蚀剂膜上形成上层膜;步骤c,对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光;以及步骤d,使用包含有机溶剂的显影液,对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案;并且所述感光化射线性或感放射线性树脂组成物含有分子量为870以下且藉由光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物。 |
申请公布号 |
TW201617735 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
申请号 |
TW104132032 |
申请日期 |
2015.09.30 |
申请人 |
富士软片股份有限公司 |
发明人 |
丹呉直紘;山本庆;井上尚纪;白川三千紘;后藤研由 |
分类号 |
G03F7/16(2006.01);G03F7/11(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/30(2006.01);G03F7/038(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/16(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
主权项 |
一种图案形成方法,其包括: 步骤a,将感光化射线性或感放射线性树脂组成物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜; 步骤b,藉由在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组成物,而于所述抗蚀剂膜上形成上层膜; 步骤c,对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光;以及 步骤d,使用包含有机溶剂的显影液,对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案;并且 所述感光化射线性或感放射线性树脂组成物含有分子量为870以下且藉由光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物。 |
地址 |
日本 |