半导体装置及其操作方法

摘要

半导体装置的一操作方法包括对一选定记忆体区块的一选定字元线施加一读取电压，选定记忆体区块系在包括耦接在位元线与一源极线之间之胞元串的复数个记忆体区块当中、藉由在选定记忆体区块的胞元串中形成一通道来侦测源极线的电压、比较源极线的电压与对应于选定记忆体区块的一参考电压、及当源极线的电压大于参考电压时(由于比较之结果)对耦接至选定字元线的记忆胞进行一最低有效位元(LSB)读取操作，且当源极线的电压小于参考电压时(由于比较之结果)对记忆胞进行一最高有效位元(MSB)读取操作。

主权项

一种半导体装置的操作方法，该操作方法包含：对一选定记忆体区块的一选定字元线施加一读取电压，该选定记忆体区块系在包括耦接在位元线与一源极线之间之胞元串的复数记忆体区块当中；藉由在该选定记忆体区块的胞元串中形成一通道来侦测一源极线电压；比较该源极线电压与对应于该选定记忆体区块的一参考电压；及当该比较之结果为该源极线电压大于该参考电压时，对耦接至该选定字元线的记忆胞进行一最低有效位元(LSB,least significant bit)读取操作，当该比较之结果为该源极线电压小于该参考电压时，对该等记忆胞进行一最高有效位元(MSB,most significant bit)读取操作。