分离式闸极记忆单元结构及其形成方法

摘要

露提供一种自对准的分离式闸极记忆单元结构以及相关的方法。自对准的分离式闸极记忆单元结构具有长方体形的记忆体闸极及选择闸极，其上表面被一些间隙壁覆盖。因此，保护记忆体闸极及选择闸极免于形成矽化物。藉由间隙壁定义自对准的记忆体闸极及选择闸极。藉由回蚀刻未被间隙壁覆盖的相应的导电材料来取代下凹制程以形成记忆体闸极及选择闸极。因此，记忆体闸极及选择闸极具有平坦的上表面及良好定义。由于减少了光学微影制程，因此所述的装置及方法也能进一步缩放。

主权项

一种分离式闸极记忆单元结构，该分离式闸极记忆单元结构设置于一半导体基底上且包括：一共用源极/汲极区，其为设置于该半导体基底内的一成对的记忆单元所共用；一成对的选择闸极，其与该成对的记忆单元相对应，且分别排置于该共用源极/汲极区的相对两侧上，每个选择闸极具有一平坦的上表面；以及一成对的记忆体闸极，其与该成对的记忆单元相对应，且分别排置于该成对的选择闸极的最外侧周围，每个记忆体闸极透过一电荷捕获层与一相应的选择闸极分隔开，其中该电荷捕获层延伸于每个记忆体闸极下方，每个记忆体闸极具有一长方体形状，且具有平坦的上表面及侧壁。