| 摘要 |
자기 셀은 중간 산화물 영역(예를 들어, 터널 장벽) 및 보조 산화물 영역 사이에 자유 영역을 포함한다. 산화물 영역들 양자는 자유 영역을 통해 자기 이방성("MA")을 유도하도록 구성되어, 자유 영역의 MA 강도를 향상시킬 수 있다. 보조 산화물 영역에 근접한 게터 물질이 산소 농도 그리고, 그에 따라, 보조 산화물 영역의 전기 저항을 감소시키기 위해 보조 산화물 영역에서 산소를 제거하도록 형성되고 구성된다. 그에 따라, 보조 산화물 영역은 셀 코어의 전기 저항에 단지 최소로 기여한다. 그러므로 본 발명의 실시예들은 향상된 MA 강도와 함께 높은 실효 자기 저항, 낮은 저항 영역 면적, 및 낮은 프로그래밍 전압을 가능하게 한다. 제조 방법들, 메모리 어레이들, 메모리 시스템들, 및 전자 시스템들이 또한 개시된다. |
