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发明名称 PECVD MICROCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM(SIGE)
摘要 본 발명의 실시예들은 일반적으로, SiGe 층을 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 먼저, 시드(seed) SiGe 층이 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)을 이용하여 형성되고, 벌크(bulk) SiGe 층이, 또한 PECVD를 이용하여 PECVD 시드 층 바로 위에 형성된다. 시드 및 벌크 SiGe 층들 양자 모두를 위한 프로세싱 온도는 섭씨 450도 미만이다.
申请公布号 KR20160054528(A) 申请公布日期 2016.05.16
申请号 KR20167008890 申请日期 2014.08.15
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 CHI HYO IN;TAJIK FARZAD DEAN;ROSA MICHEL ANTHONY
分类号 H01L21/02;C23C16/52 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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