| 发明名称 |
光电半导体晶片及其制造方法 |
| 摘要 |
明描述一种光电半导体晶片(1)，其具有一半导体层序列(2)和一载体基板(10)，其中此半导体层序列(2)具有第一导电型的第一半导体区(5)、第二导电型的第二半导体区(3)、以及配置在第一半导体区(5)和第二半导体区(3)之间的活性层(4)，且其中第一半导体区(5)面向载体基板(10)。此半导体层序列(2)具有：第一凹口(11)，其形成在第一半导体区(5)中且未切开活性层(4)；以及第二凹口(12)，其至少一部份切开第一半导体区(5)和活性层(4)，其中第二凹口(12)邻接于第一凹口(11)或配置在二个第一凹口(11)之间。此外，本发明提供一种光电半导体晶片(1)之制造方法。
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| 申请公布号 |
TW201618327 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104129515 |
申请日期 |
2015.09.07 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 |
发明人 |
克伦坡 克里斯多夫 |
| 分类号 |
H01L33/02(2010.01);H01L33/00(2010.01) |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
王彦评;赖碧宏 |
| 主权项 |
一种光电半导体晶片(1)，具有一半导体层序列(2)和一载体基板(10)，其特征为：-此半导体层序列(2)具有第一导电型的第一半导体区(5)、第二导电型的第二半导体区(3)、以及配置在第一半导体区(5)和第二半导体区(3)之间的活性层(4)，其中第一半导体区(5)面向载体基板(10)，-此半导体层序列(2)具有第一凹口(11)，其形成在第一半导体区(5)中且未切开活性层(4)，-此半导体层序列(2)具有第二凹口(12)，其至少一部份切开第一半导体区(5)和活性层(4)，以及-第二凹口(12)邻接于第一凹口(11)或配置在二个第一凹口(11)之间。
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| 地址 |
德国 |
