| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明关于半导体元件及其制造方法。一种半导体元件包括具有顶面的基底。半导体电路在基底的顶面上定义了电路区域。互连与上述电路区域间隔开且从顶面延伸到基底中。上述互连包括由电绝缘材料所形成的侧壁。在上述侧壁中提供开口。
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| 申请公布号 |
TW201618258 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104125595 |
申请日期 |
2013.05.06 |
| 申请人 |
英特尔行动通讯公司 |
发明人 |
巴斯 汉斯乔琴 |
| 分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种制造半导体元件的方法，包括：提供具有顶面的基底；形成在该基底的该顶面上定义电路区域的半导体电路；形成与该电路区域间隔开且从该顶面延伸到该基底中的互连，该互连包括由第一电绝缘材料所形成的第一侧壁；以及提供开口在该第一侧壁内。
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| 地址 |
德国 |
