| 发明名称 |
将半导体材料加工的方法与装置 |
| 摘要 |
将半导体材料(100)加工的方法(500)，其中该方法(500)包括放电步骤(504)、清洁步骤(502)及制备步骤(506)。在该放电步骤(318，336，504)中对该半导体材料(100)进行静电放电。在该清洁步骤(306，322，328，332，334，502)中将颗粒(310)自该半导体材料(100)移除。在该制备步骤(340，344，346，350，506)中对该半导体材料(100)进行制备，以供进一步使用。
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| 申请公布号 |
TW201618212 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104125076 |
申请日期 |
2015.08.03 |
| 申请人 |
罗伯特博斯奇股份有限公司 |
发明人 |
欧洛柏 马提亚斯 |
| 分类号 |
H01L21/67(2006.01);B03B5/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
| 主权项 |
一种将半导体材料(100)加工的方法(500)，其中该方法(500)包括以下步骤：对该半导体材料(100)进行放电(318，336，504)，其中对该半导体材料(100)进行静电放电；对该半导体材料(100)进行清洁(306，322，328，332，334，502)，其中将颗粒(310)自该半导体材料(100)移除；以及对该半导体材料(100)进行制备(340，344，346，350，506)，以供进一步使用。
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| 地址 |
德国 |
