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一种矽基板的分析方法，系向基板深度方向分析矽基板中所包含的分析对象物，该分析方法具有：氧化膜形成步骤，系向载置于腔室内的矽基板供给包含臭氧的氧气作为氧化性气体，使矽基板表面氧化而形成氧化膜；以及回收步骤，系利用从基板分析用喷嘴喷出的分析液来扫掠矽基板表面，将使分析对象物迁移后的分析液导入基板分析用喷嘴内，藉此回收分析对象物；基板分析用喷嘴系由双层管所构成，该双层管系包含喷出及吸引分析液之喷嘴本体、以及以包围进行扫掠的分析液之方式配置于喷嘴本体的外周之外管，且具有将喷嘴本体与外管间之空间当作排气路径之排气手段，一边藉由排气手段对基板分析用喷嘴的喷嘴本体与外管间之空间进行排气一边进行回收步骤，将氧化膜形成步骤与回收步骤当作1循环，反覆进行1次以上，藉此将基板深度方向中所包含的分析对象物导入分析液中。
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