控制在熔体成长的结晶片的厚度的装置、方法及系统

摘要

明提供一种控制在熔体成长的结晶片的厚度的装置及其方法。所述装置可包括：坩埚，用以容纳熔体，所述熔体具有与坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面；壳体，包含不对熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁及顶部，用以接触熔体；以及多个加热元件，与熔体隔绝并沿与结晶片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热元件被各别地供电，其中所述多个加热元件相对于熔体的暴露表面安置于第二组距离处，第二组距离小于第一距离，且其中所述多个加热元件用以在所述多个加热元件被各别地供应电力时改变沿横向方向的热通量轮廓。

主权项

一种控制自熔体成长的结晶片的厚度的装置，包括： 坩埚，用以容纳所述熔体，所述熔体具有与所述坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面； 壳体，包含不对所述熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁及顶部，所述多个侧壁及所述顶部用以接触所述熔体；以及 多个加热元件，与所述熔体隔绝并沿与所述结晶片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热元件被各别地供电， 其中所述多个加热元件相对于所述熔体的所述暴露表面安置于第二组距离处，所述第二组距离小于所述第一距离，且其中所述多个加热元件用以在所述多个加热元件被各别地供应电力时改变沿所述横向方向的热通量轮廓。