在基板上在反应空间中形成氮化矽薄膜之方法

摘要

明提供用于形成氮化矽膜的方法及前驱体。在一些实施例中，氮化矽可以藉由原子层沈积（ALD），诸如电浆增强ALD来沈积。在一些实施例中，经沈积氮化矽可以用电浆处理来处理。所述电浆处理可为氮电浆处理。在一些实施例中，用于沈积氮化矽之矽前驱体包括碘配位体。氮化矽膜在沈积至诸如FinFET或其他类型的多重闸极FET之三维结构上时，在垂直部分及水平部分上均可具有相对均匀的蚀刻速率。在一些实施例中，各种本发明氮化矽膜之蚀刻速率小于采用稀释HF（0.5%）之热氧化物移除速率的一半。在一些实施例中，用于沈积氮化矽膜之方法包括多步骤电浆处理。

主权项

一种在基板上在反应空间中形成氮化矽薄膜之方法，包括： 使所述基板与包括碘之矽前驱体接触以得到吸附在所述基板之表面上的第一矽物质； 使包括吸附在所述表面上之所述第一矽物质之所述基板与包括活性氢物质之第一电浆接触，从而在所述基板上形成氮化矽；以及 执行氮电浆处理，其中所述氮电浆处理包括使包括氮化矽之所述基板与由实质上没有含氢物质之含氮气体形成之第二电浆接触，从而形成所述氮化矽薄膜。