电子元件封装结构及制作方法

摘要

电子元件封装结构的制作方法，包括：在一铜箔表面形成第一导电线路层，所述第一导电线路层包括多个电性接触垫及多个焊垫；在所述多个电性接触垫表面形成多个导电柱；在所述多个焊垫表面焊接电子元件；在所述第一导电线路层及所述导电柱的间隙形成第一介电层，并使所述第一介电层包覆所述电子元件；去除所述铜箔；在原贴附铜箔的表面依次形成第二介电层及第二导电线路层；以及在所述第二导电线路层侧形成防焊层，其中，所述第一介电层的热膨胀系数介于所述电子元件的热膨胀系数与防焊层的热膨胀系数之间。本发明还涉及一种电子元件封装结构。

主权项

一种电子元件封装结构的制作方法，包括步骤：提供铜箔，在所述铜箔表面形成第一导电线路层，所述第一导电线路层包括多个电性接触垫及多个第一焊垫；在所述多个电性接触垫表面形成多个导电柱，所述多个导电柱与所述多个电性接触垫相电连接；在所述多个第一焊垫表面焊接第一电子元件；在所述第一导电线路层及所述导电柱的间隙形成第一介电层，并使所述第一介电层包覆所述第一电子元件；去除所述铜箔，得到芯层封装基板；在所述芯层封装基板的第一电子元件侧依次形成第二介电层及第二导电线路层，所述第二介电层内形成有第一导电盲孔，所述第一导电盲孔电连接所述第二导电线路层及导电柱；以及在所述第二导电线路层侧形成第一防焊层，其中，所述第一介电层的热膨胀系数介于所述第一电子元件的热膨胀系数与第一防焊层的热膨胀系数之间，从而形成所述电子元件封装结构。