发明名称 磁気メモリおよびその製造方法
摘要 実施形態によれば、磁気メモリが開示される。前記磁気メモリは、基板および前記基板上に設けられたコンタクトプラグを含む。前記コンタクトプラグは第1のコンタクトプラグ、および、前記第1のコンタクトプラグ上に設けられ、前記第1のコンタクトプラグよりも径が小さい第2のコンタクトプラグを含む。前記第2のコンタクトプラグには磁気抵抗素子が設けられている。前記第2のコンタクトプラグの径は、前記磁気抵抗素子の径よりも小さい。【選択図】 図10
申请公布号 JP2016513868(A) 申请公布日期 2016.05.16
申请号 JP20150544227 申请日期 2014.03.13
申请人 株式会社東芝 发明人 玖村 芳典
分类号 H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/12 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人
主权项
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