| 发明名称 |
具有改善的品质因子之晶粒上电感器 |
| 摘要 |
一种装置，其包括：基底；众多孔，形成为基底中的通路(例如矽穿孔通路(TSV))；以及，金属圈，形成于设在众多孔上方的金属层中以致于金属圈的平面正交于众多孔。
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| 申请公布号 |
TW201618269 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104121338 |
申请日期 |
2015.07.01 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
沙拉史瓦 路奇尔;纪曼 伍威;考利 尼可拉斯;古德曼 理查 |
| 分类号 |
H01L23/58(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/58(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种用于增进品质因子的装置，该装置包括：基底；众多孔，形成为该基底中的通路；以及，金属圈，形成于设在该众多孔上方的金属层中以致于该金属圈的平面正交于该众多孔。
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| 地址 |
美国 |
