| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 明较佳实施例揭露一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一高介电常数介电层，然后形成一第一功函数层于高介电常数介电层上，之后再形成一第一含氧层于该第一功函数层上。 | ||
| 申请公布号 | TW201618191 | 申请公布日期 | 2016.05.16 |
| 申请号 | TW103138083 | 申请日期 | 2014.11.03 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨玉如;曾嘉勋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上设有一高介电常数介电层；形成一第一功函数层于该高介电常数介电层上；以及形成一第一含氧层于该第一功函数层上。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||