微电子基板上之乾硬式遮罩的移除方法

摘要

露内容系关于用于多步骤电浆制程，用以自下层硬遮罩层移除金属硬遮罩层的方法，该方法可用于实施次微影整合法。该次微影整合法可包含反覆地将数个特征部图案化至该金属硬遮罩层中，其可转移至该硬遮罩层。然而，该反覆的过程可能在该金属硬遮罩上留下先前的膜之残留物，该残留物可能作为微型遮罩，其可能妨碍该图案转移至该硬遮罩层。移除该微型遮罩的方法可为：使用两步骤之电浆制程，其使用含碳气体及含氯气体的第一气体混合物比率来移除该微型遮罩。而该剩余之金属硬遮罩层可使用该含碳气体及该含氯气体的第二气体混合物比率来移除。

主权项

一种处理基板之方法，包含： 在一电浆处理腔室中接收该基板，该基板包含一含钛层及一硬遮罩层，该含钛层位于一含有机物层之上，而该硬遮罩层配置于该含有机物层与该含钛层之间，该含钛层及该硬遮罩层被图案化以暴露部分的该含有机物层； 使用一气体混合物之第一比率来处理该含钛层，该气体混合物包含含氯气体及含碳气体；及 使用该气体混合物之第二比率来处理该含钛层。