发明名称 晶圆之加工方法
摘要 明之课题是提供一种晶圆之加工方法,其可在不对器件造成损伤的情形下,以低成本去除抗蚀膜。解决手段为晶圆之加工方法,其包含在晶圆的表面之分割预定线以外的区域被覆抗蚀膜的抗蚀膜被覆步骤;在晶圆上实施电浆蚀刻,而于晶圆的表面形成沿着分割预定线之深达完成品厚度之沟的电浆蚀刻步骤;将晶圆表面之抗蚀膜洗净而去除的抗蚀膜去除步骤;将晶圆的背面予以磨削而薄化成完成品厚度并且使沟露出于晶圆的背面,藉此将晶圆分割成一个个器件晶片的磨削步骤。在抗蚀膜去除步骤中,是将药液喷射以喷附于晶圆的抗蚀膜上来去除抗蚀膜。
申请公布号 TW201618181 申请公布日期 2016.05.16
申请号 TW104120319 申请日期 2015.06.24
申请人 迪思科股份有限公司 发明人 横尾晋;高桥宏行;冈崎健志;西田吉辉;田渊智隆
分类号 H01L21/3065(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/308(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种晶圆之加工方法,是在表面之交叉的复数条分割预定线所划分出的各区域中形成有器件的晶圆之加工方法,其包含:抗蚀膜被覆步骤,在晶圆的表面之该分割预定线以外的区域被覆抗蚀膜;电浆蚀刻步骤,在已实施过该抗蚀膜被覆步骤之晶圆上实施电浆蚀刻,而于晶圆的表面形成沿着该分割预定线之深达完成品厚度之沟;抗蚀膜去除步骤,在已实施该电浆蚀刻步骤后,将晶圆表面之抗蚀膜洗净而去除;以及磨削步骤,使其露出背面来将晶圆保持于工作夹台上,并将晶圆的背面予以磨削而薄化成该完成品厚度并且使该沟露出于晶圆的背面,藉此将晶圆分割成一个个器件晶片,在该抗蚀膜去除步骤中,是将药液喷射以喷附于晶圆之抗蚀膜上,而去除该抗蚀膜。
地址 日本