半导体装置及其制造方法

摘要

明使半导体装置的性能提高。本发明之半导体装置包含：光电二极体PD，其具有电荷累积层（n型半导体区域NW）与表面层（p型半导体区域PR）；以及转移电晶体TX，其具有闸极电极Gt与浮置扩散部FD。形成于第1导电型的电荷累积层（n型半导体区域NW）之上的第2导电型的表面层（p型半导体区域PR），系由低杂质浓度的第1副区域PR1与高杂质浓度的第2副区域PR2所构成，第1副区域PR1配置在比第2副区域PR2更接近浮置扩散部FD之侧。

主权项

一种半导体装置，其包含串联连接的光电二极体以及转移电晶体，其特征为： 该转移电晶体包含：闸极电极，隔着闸极絶缘膜形成于半导体基板的主面；第1导电型的源极区域，配置在该闸极电极的一端侧；以及第1导电型的汲极区域，配置在该闸极电极的另一端侧； 该光电二极体包含：第1导电型的电荷累积层，形成于该半导体基板的内部，亦具有作为该源极区域的功能；以及第2导电型的表面层，其配置在该电荷累积层之上，与该第1导电型为相反导电型； 该表面层，系由低杂质浓度的第1副区域，以及比该第1副区域杂质浓度更高的第2副区域所构成； 该第1副区域，配置在比该第2副区域更接近该汲极区域之侧。