发明名称 Verfahren zum Bilden einer Oxidbeschichtung, die die Ansammlung von radioaktiven Teilchenarten auf einer Metallfläche reduziert.
摘要 Es wird ein Verfahren zum Bilden einer Oxidbeschichtung zum Reduzieren der Ansammlung von radioaktiven Teilchenarten auf einer Metallfläche offenbart, die Fluiden ausgesetzt ist, welche geladene Teilchen enthalten. Das Verfahren umfasst das Herstellen einer wässrigen kolloidalen Suspension, die etwa 0,5 bis etwa 35 Gew-% Nanoteilchen, welche Titanoxid und/oder Zirkonoxid enthalten, und etwa 0,1% bis etwa 10% 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]-Essigsäure (C 7 H 14 O 5 ) oder Polyfluorsulfonsäure in Wasser enthält, Abscheiden der wässrigen kolloidalen Suspension auf der Metallfläche, Trocknen der wässrigen kolloidalen Suspension, um eine ungesinterte Beschichtung zu bilden; und dann Erwärmen der ungesinterten Beschichtung auf eine Temperatur von bis zu 500 °C, um die ungesinterte Beschichtung zu verdichten und um eine Oxidbeschichtung zu bilden, die ein Zeta-Potenzial hat, welches kleiner oder gleich der elektrischen Polarität der geladenen Teilchen ist, um so das Abscheiden der geladenen Teilchen auf der Metallfläche zu minimieren. Die Nanoteilchen haben einen Durchmesser von bis zu etwa 200 Nanometern.
申请公布号 CH705093(B1) 申请公布日期 2016.05.13
申请号 CH20120000792 申请日期 2012.06.06
申请人 General Electric Company 发明人 Young Jin Kim;Anthony Yu-Chung Ku;Rebecca Christine Malish;Thomas Alfred Caine;Lauraine Denault;Anthony Thomas Barbuto;Catherine Procik Dulka;Patrick Daniel Willson;Peter Louis Andresen
分类号 G21F1/08;B05D7/14;C23C24/00 主分类号 G21F1/08
代理机构 代理人
主权项
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