Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips, optoelektronischer Halbleiterchip sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement

摘要

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, aufweisend: – eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Haupterstreckungsebene, einer aktiven Schicht (12) und einer Bodenfläche (1c), – einen Träger (41) der an der Bodenfläche (1c) der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist und eine der Bodenfläche (1c) abgewandte Grundfläche (41c) aufweist und – eine Verbindungsschichtenfolge (3), die in einer vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und dem Träger (41) angeordnet ist, wobei – der Träger (41) die Halbleiterschichtenfolge (1) lateral um höchstens 10 µm überragt.